Galliumnitrid-Halbleiter (GaN) basieren auf Gallium und Stickstoff. Sie zählen damit zu den sog. III-V-Verbindungshalbleitern, wobei der Rohstoff als Nebenprodukt bei der Aluminiumherstellung anfällt. Mit der Entwicklung von Galliumnitrid-Halbleitern ist insbesondere die Hoffnung verbunden, Potenziale im Rahmen der Energieeffizienz effektiv zu heben und damit eine Verbesserung gegenüber der Anwendung von Silizium (Si) bzw. Siliziumkarbid (SiC) zu schaffen. Automotive Einsatzmöglichkeiten für die Anwendung der GaN-Halbleiter wurden in der Vergangenheit bspw. für induktive Ladevorgänge an batterieelektrischen Fahrzeugen (Battery Electric Vehicle, BEV), Smart Grids und die 5G-Kommunikation erkannt.
Galliumnitrid-Halbleiter
Galliumnitrid-Halbleiter bieten sich für verschiedene Anwendungen im Bereich der Fahrzeugtechnik an, bspw. für induktive Ladetechnologien.